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安森美半導(dǎo)體以獲獎(jiǎng)的超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出兩款新型器件ESD7L5.0D和NUP4212.這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺(tái)設(shè)計(jì),提高了鉗位電壓性能,同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸.
作 者: 作者單位: 刊 名: 電子元器件應(yīng)用 英文刊名: ELECTRONIC COMPONENT & DEVICE APPLICATIONS 年,卷(期): 2008 10(9) 分類號(hào): 關(guān)鍵詞:【安森美半導(dǎo)體以獲獎(jiǎng)的超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列】相關(guān)文章:
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