分子束外延生長ZnSe自組織量子點光、電行為研究?

分別應(yīng)用光致發(fā)光、電容-電壓和深能級瞬態(tài)傅里葉譜技術(shù)詳細研究ZnSe自組織量子點樣品的光學(xué)和電學(xué)行為.光致發(fā)光溫度關(guān)系表明ZnSe量子點的光致發(fā)光熱猝火過程機理.兩步猝火過程的理論較好模擬和解釋了相關(guān)的實驗數(shù)據(jù).電容-電壓測量表明樣品表觀載流子積累峰出現(xiàn)的深度(樣品表面下約100nm處)大約是ZnSe量子點層的位置.深能級瞬態(tài)傅里葉譜獲得的ZnSe量子點電子基態(tài)能級位置為ZnSe導(dǎo)帶下的0.11eV,這與ZnSe量子點光致發(fā)光熱猝火模型得到的結(jié)果一致.

作 者： 盧勵吾 王占國 C.L.Yang J.Wang Z.H.Ma I.K.Sou Weikun Ge   作者單位： 盧勵吾,王占國(中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)開放實驗室,北京,100083)

C.L.Yang,J.Wang,Z.H.Ma,I.K.Sou,Weikun Ge(香港科技大學(xué)物理系，香港九龍清水灣) 

刊 名： 物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(2)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： Ⅱ-Ⅵ半導(dǎo)體,自組織量子點,光、電特性  

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