稀磁半導(dǎo)體的研究進展

本文主要介紹了III-V族稀磁半導(dǎo)體(Ga,Mn)As的研究進展,包括(Ga,Mn)As的生長制備、基本磁性質(zhì)、磁輸運特征、磁光性質(zhì)、磁性起源、相關(guān)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和自旋注入等,同時還簡單介紹了其它稀磁半導(dǎo)體如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半導(dǎo)體的研究進展,在文章的最后描述了理想的稀磁半導(dǎo)體應(yīng)該具備的特征以及對未來的展望.

作 者： 趙建華 鄧加軍 鄭厚植 ZHAO Jian-hua DENG Jia-jun ZHENG Hou-zhi   作者單位： 中國科學院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室,北京100083  刊 名： 物理學進展  ISTIC PKU 英文刊名： PROGRESS IN PHYSICS  年，卷(期)： 2007 27(2)  分類號： O472+.3 O472+.4 O472+5 O484.1  關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體自旋電子學   稀磁半導(dǎo)體   異質(zhì)結(jié)構(gòu)   自旋注入  

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