穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的互補性金屬-氧化物-半導體器件劑量增強效應研究

重點開展了穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的金屬-氧化物-半導體(CMOS)器件劑量增強效應relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通過實驗給出輻照敏感參數(shù)隨總劑量的變化關系,旨在建立CMOS器件相同累積劑量時X射線輻照和γ射線輻照的總劑量效應損傷等效關系.在脈沖X射線源dense plasma focus(DPF)裝置上,采用雙層膜結構開展瞬態(tài)翻轉增強效應研究,獲得了瞬態(tài)翻轉劑量增強因子.這些方法為器件抗X射線輻照加固技術研究提供了實驗技術手段.

作 者： 郭紅霞 陳雨生 張義門 周輝 龔建成 韓福斌 關穎 吳國榮   作者單位： 郭紅霞(西安電子科技大學微電子學研究所,西安,710000;西北核技術研究所,西安,710024)

陳雨生,周輝,龔建成,韓福斌,關穎,吳國榮(西北核技術研究所,西安,710024)

張義門(西安電子科技大學微電子學研究所,西安,710000) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(12)  分類號： O4  關鍵詞： X射線   劑量增強因子   總劑量效應   劑量率效應  

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