密度泛函理論研究具有手性側(cè)鏈的卟啉液晶分子幾何結(jié)構(gòu)與電子光譜

采用量子化學(xué)密度泛函理論方法在B3LYP/6-31G水平上對具有手性側(cè)鏈的卟啉液晶分子進(jìn)行幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上使用含時密度泛函理論方法計算了分子第一激發(fā)態(tài)的電子垂直躍遷能,得到最大吸收波長λmax.計算表明,手性側(cè)鏈取代基對λmax的影響不大,Zn絡(luò)合導(dǎo)致最大吸收波長蘭移,與實驗結(jié)果一致.

作 者： 李權(quán) 駱開均 趙可清 LI Quan LUO Kai-jun ZHAO Ke-qing   作者單位： 四川師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院,成都,610066  刊 名： 原子與分子物理學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(5)  分類號： O56  關(guān)鍵詞： 卟啉液晶分子   密度泛函理論   前線軌道   電子光譜  

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