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雜質(zhì)吸收對光子晶體缺陷模偏振態(tài)的影響
引入復(fù)折射率并利用特征矩陣法,研究了雜質(zhì)的吸收對TE波和TM波缺陷模透射峰的影響.得出:雜質(zhì)的消光系數(shù)對TE波和TM波的缺陷模透射峰都有顯著的影響,但對TE波缺陷模的影響比對TM波缺陷模的影響更為明顯.當(dāng)消光系數(shù)一定時,TE波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而迅速減小,而TM波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而增大.利用這一特性可以設(shè)計光子晶體偏振濾波器.
作 者: 劉啟能 LIU Qi-neng 作者單位: 重慶工商大學(xué),理學(xué)院,重慶,400067 刊 名: 半導(dǎo)體光電 ISTIC PKU 英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS 年,卷(期): 2007 28(6) 分類號: O436 關(guān)鍵詞: 光子晶體 特征矩陣 消光系數(shù) 缺陷模 偏振態(tài)【雜質(zhì)吸收對光子晶體缺陷模偏振態(tài)的影響】相關(guān)文章:
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