Ce:KNSBN光折變晶體兩波耦合響應時間特性研究

在寫入光分別為e光和o光時,實驗測量了Ce:KNSBN晶體兩波耦合響應時間與總寫入光強、寫入光強比和寫入光夾角的關系,實驗數(shù)據(jù)與理論擬合結果相吻合,并由晶體響應時間特性獲得了晶體有效電光系數(shù)和有效光折變電荷密度參數(shù).

作 者： 郭慶林 劉峰 梁寶來   作者單位： 河北大學物理科學與技術學院,保定,071002  刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分類號： O734  關鍵詞： 光折變晶體   兩波耦合   響應時間  

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