溫梯法生長76mm Ce:YAG閃爍晶體的研究

首次采用溫度梯度法(TGT)成功生長了直徑為76mm高光學(xué)質(zhì)量的Ce:YAG高溫閃爍晶體,采用ICP-AES測試了Ce離子在Ce:YAG晶體中的分凝系數(shù)約為0.082.在室溫下,測試了原生態(tài)Ce:YAG晶體的吸收光譜和X射線激發(fā)發(fā)射光譜(XEL).吸收光譜顯示了Ce3+離子的3個特征吸收帶,對應(yīng)的中心波長分別為223nm,340nm及460nm;XEL發(fā)射譜表明Ce:YAG的發(fā)射峰為550nm,能與硅光二極管有效地耦合.

作 者： 趙廣軍 曾雄輝 徐軍 徐月泉 周永宗   作者單位： 趙廣軍,曾雄輝(中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所,上海,201800)

徐軍(中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所,上海,201800;上海中科嘉浦光電子材料有限公司,上海,201821)

徐月泉,周永宗(上海中科嘉浦光電子材料有限公司,上海,201821) 

刊 名： 人工晶體學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2003 32(4)  分類號： O782  關(guān)鍵詞： 無機閃爍晶體   Ce:YAG   溫度梯度法   光譜測量  

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