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汞膜電極上N-乙酰-L-半胱氨酸的電化學行為

時間:2023-04-28 03:38:39 數(shù)理化學論文 我要投稿
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汞膜電極上N-乙酰-L-半胱氨酸的電化學行為

研究了汞膜電極上N-乙酰-L-半胱氨酸(C5H8O3-SH,NAC)的電化學行為和測定方法.在0.1 mol/L HAc-NaAc緩沖溶液(pH=4.5)介質中,方波伏安掃描于~ -0.25V(vs.Ag/AgCl)處出現(xiàn)一靈敏的陰極還原峰,用循環(huán)伏安法、線性掃描極譜法和脈沖極譜法等手段研究了體系的電化學行為及其反應機理.實驗表明:該峰具有明顯吸附性,吸附分子為Hg2(C5H8O3-S)2,電子轉移系數(shù)α為0.82,電子轉移數(shù)為1.NAC的濃度在1.2×10-8~5.0×10-6 mol/L范圍與其方波伏安峰高有良好的線性關系.方法的檢出限為5.0×10-9 mol/L,用于富露施顆粒劑中NAC含量的測定,結果滿意.

汞膜電極上N-乙酰-L-半胱氨酸的電化學行為

作 者: 嚴金龍 孫汝東 孫為德   作者單位: 鹽城工學院化學工程系,江蘇鹽城224003  刊 名: 分析化學  ISTIC SCI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY  年,卷(期): 2003 31(4)  分類號: O65  關鍵詞: N-乙酰-L-半胱氨酸   電化學行為   伏安法  

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