間苯二胺的電化學及紫外-可見薄層光譜電化學研究

研究了間苯二胺(MPD)在金電極和SnO2∶F膜電極上的循環(huán)伏安行為及在SnO2∶F膜電極上的紫外-可見薄層光譜電化學性質. 獲得了間苯二胺在SnO2∶F膜電極上電氧化的薄層恒電勢電解-吸收光譜圖, 采用雙對數(shù)法對紫外-可見薄層光譜電化學數(shù)據(jù)進行了處理. 研究了間苯二胺的光譜及電化學性質, 求得了間苯二胺的動力學修飾式量電位E0?和αn等熱力學參數(shù).

作 者： 焦奎 呂剛 楊濤 吳俊峰   作者單位： 青島科技大學化學與分子工程學院,青島,266042  刊 名： 高等學�；瘜W學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2003 24(6)  分類號： O657.1  關鍵詞： 紫外-可見薄層光譜電化學   循環(huán)伏安法   單電位躍-計時吸收光譜法   間苯二胺  

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