超薄膜生長(zhǎng)的Monte Carlo模擬研究

利用Monte Carlo(MC)方法模擬研究了薄膜生長(zhǎng)的初始階段島的形貌和島的尺寸與基底溫度和入射粒子剩余能量之間的關(guān)系.模型中考慮了粒子的沉積、吸附粒子的擴(kuò)散和蒸發(fā)等過(guò)程.結(jié)果表明當(dāng)基底溫度從200K變化到260K時(shí),島的形貌經(jīng)歷了一個(gè)從分散生長(zhǎng)逐漸過(guò)渡到分形生長(zhǎng)的過(guò)程,并且在較低溫度(200K)下,隨入射粒子剩余能量的增加,島的形貌也經(jīng)歷了同樣的變化過(guò)程.進(jìn)一步研究證明,隨著基底溫度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉積粒子的擴(kuò)散能力顯著增強(qiáng),從而使島的形貌發(fā)生了改變.

作 者： 譚天亞 李春梅 蘇宇 徐廣文 吳煒 郭永新 TAN Tian-Ya LI Chun-Mei SU Yu XU Guang-Wen WU Wei GUO Yong-Xin   作者單位： 遼寧大學(xué)物理學(xué)院沈陽(yáng)市光電子功能器件與檢測(cè)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,沈陽(yáng),110036  刊 名： 原子與分子物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2008 25(1)  分類(lèi)號(hào)： O484.1  關(guān)鍵詞： Monte Carlo模擬   薄膜生長(zhǎng)   基底溫度   入射粒子剩余能量  

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