FeCoB-SiO2納米磁性顆粒膜有效磁導率計算與模擬

用帶Gilbert損耗項的Landau-Lifshitz 方程和Bruggeman有效媒質(zhì)理論對Fe40Co40B20-SiO2納米磁性顆粒膜的有效磁導率進行計算模擬,采用的模型是由磁性顆粒與非磁性介質(zhì)組成的面心立方結(jié)構(gòu)體系.模擬結(jié)果表明,磁譜曲線的變化趨勢與實驗數(shù)據(jù)一致,薄膜有效磁導率的實部和虛部都隨著磁性顆粒的體積分數(shù)增大而增大.當磁性顆粒的體積分數(shù)在0.3到0.5之間變化時,磁導率的變化并不明顯,而當磁性顆粒的體積分數(shù)在0.5到0.6之間變化時,磁導率的變化非常明顯,這說明復合薄膜在磁性顆粒體積分數(shù)為0.5到0.6之間出現(xiàn)了逾滲閾值.

作 者： 童燕群 馮則坤 邱景 廖健生 TONG Yan-qun FENG Ze-kun QIU Jing LIAO Jian-sheng   作者單位： 華中科技大學,電子科學與技術(shù)系,湖北武漢,430074  刊 名： 磁性材料及器件  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2008 39(3)  分類號： O484.4+3  關(guān)鍵詞： 納米磁性顆粒膜   有效磁導率   有效媒質(zhì)理論   LLG方程   計算機模擬  

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