熱傳導型半導體器件的二次元特征有限體積元方法及分析: H1模估計

該文構(gòu)造了熱傳導型半導體器件的全離散特征有限體積元格式,將特征線方法與有限體積元方法相結(jié)合,采用Lagrange型分片二次多項式空間和分片常數(shù)函數(shù)空間分別作為試探函數(shù)和檢驗函數(shù)空間,并進行誤差分析,得到了最優(yōu)階 H1模誤差估計結(jié)果.

作 者： 陳傳軍 袁益讓 Chen Chuanjun Yuan Yirang   作者單位： 陳傳軍,Chen Chuanjun(煙臺大學數(shù)學與信息科學系,煙臺,264005)

袁益讓,Yuan Yirang(山東大學數(shù)學與系統(tǒng)科學學院,濟南,250100) 

刊 名： 數(shù)學物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA MATHEMATICA SCIENTIA  年，卷(期)： 2008 28(3)  分類號： O241.82  關(guān)鍵詞： 半導體   特征線方法   有限體積元方法   誤差估計  

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