聯(lián)系可覺察度對錯誤記憶的影響

本研究采用DRM詞表學習法和圖片刺激對學習法兩種研究范式考察了關(guān)鍵誘餌與學習項目間聯(lián)系可覺察度對錯誤記憶的影響.結(jié)果顯示,學習項目與關(guān)鍵誘餌的聯(lián)系可覺察度對錯誤記憶起重要作用:在詞表學習范式中,隨著聯(lián)系可覺察度的提高,被試覺察到的詞表的關(guān)聯(lián)性更高,錯誤記憶就更容易發(fā)生;在刺激對學習范式中,隨著聯(lián)系可覺察度的提高,學習項目和關(guān)鍵誘餌間的差異區(qū)分性提高,導(dǎo)致二者間的關(guān)聯(lián)性降低,從而減少錯誤記憶.本研究為進一步揭示錯誤記憶的機制、更好地理解記憶及其機制提供了新的證據(jù),并對如何提高記憶效率具有一定的實際應(yīng)用價值.

作 者： 水仁德 王霞 SHUI Ren-de WANG Xia   作者單位： 浙江大學心理與行為科學系,杭州,310028  刊 名： 應(yīng)用心理學  CSSCI 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF APPLIED PSYCHOLOGY  年，卷(期)： 2006 12(1)  分類號： B84  關(guān)鍵詞： 聯(lián)系可覺察度   錯誤記憶   源監(jiān)測   DRM范式  

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